Secondo Sansung Electronics e Micron la nuova tecnologia Hybrid Memory Cube sostituirà tranquillamente le attuali memorie DDR. Queste nuove memorie sanno ben 15 volte più veloci delle DDR 3 riducendo i consumi del 70 % per bit.
Le nuove memorie saranno formate da un chip di controllo che di occuperà di gestire i dati e da alcuni chip di memoria connessi verticalmente a "pila", attraverso la tenologia Through silicion via (TSV).
Secondo Micron, il numero di contatti e le brevi distanze tra i chip permettono velocità di trasferimento dati molto elevate, ed è stato già creato un prototipo che raggiunge i 128 GB/s con picchi picchi di 160 GB/s.
Pensate che una memoria DDR 3 -1600 ovvero le più veloci che ci sono oggi in circolazione raggiunge i 12.8 GB/s.
I primi esemplari di queste memorie dovrebbero arrivare tra circa uno o due anni per il mercato professionale su prodotti come: router gigabit ethernet, switch e server per il cloud computing, mentre per il 2015 è prevista la produzione in volumi. Se le cose andranno bene come sperano Samsung e Micron, nell'affare potrebbero entrare anche AMD ed Intel, dando così un'accelerata alla diffusione di queste nuove memorie, anche se le DDR4 sono alle porte e non sarà facile rubargli la scena, sopratutto per una questione di costi.
Qui sotto troverete un video che spiega dettagliatamente la nuova tecnologia: